巡礼 2020｜中芯国际：一部新世纪中国芯片制造奋斗史

在2020年的A股市场，中芯国际（SH688981）是最受瞩目的上市公司之一。当年6月1日，中芯国际IPO申请获受理，仅一个月时间便注册生效，7月16日成功登陆科创板。中芯国际发行价27.46元/股，上市当日以95元/股价格开盘，市值突破6000亿元。

在资本市场，中芯国际备受追捧，一时风头无两。在技术层面，中芯国际于2019年量产14纳米FinFET工艺，成为全球少数掌握FinFET技术的晶圆制造厂商。

坐拥资本市场支持，技术上又有联席CEO梁孟松坐镇，中芯国际雄心勃勃开始对行业领头羊台积电、三星发起“跳代”式追赶。彼时，在梁孟松带领下，中芯国际着手研发的N+1、N+2被业内认为接近于8纳米、7纳米。在格罗方德、联电放弃攻坚7纳米后，中芯国际几乎成为晶圆代工领域先进制程的唯一追赶者。

由于受到美国无理打压，中芯国际先进工艺的研发、量产遇到困难，公司公告中对先进工艺的披露也越来越少。不过，先进工艺只是广阔半导体市场的一部分，中芯国际在成熟工艺、特色工艺上仍有长足发展空间。

创业维艰

2000年4月，中芯国际在上海浦东正式成立。当年8月，中芯国际厂房开始在张江建设。

中芯国际创业前不久，正值美股科网股泡沫高峰期。2000年3月，费城半导体指数一度超过1300点。然而，自中芯国际成立的4月起，费城半导体指数一路向下，到2002年10月甚至跌至200点左右。作为全球半导体市场的风向标，费城半导体指数大幅下跌，无疑标志着半导体行业陷入低谷。

在国内产业配套稀缺，行业又处于低谷期之际，中芯国际逆势而上，迅速建设多座晶圆工厂。2001年，中芯国际上海8英寸生产基地建设完成；2002年，中芯国际北京12英寸生产基地奠基，并实现0.18微米的全面技术认证和量产；2003年，中芯国际收购天津摩托罗拉晶圆厂并成立中芯天津。此间，中芯国际陆续实现0.35微米～0.13微米的全面技术认证与量产。

2004年，中芯国际首次实现盈利，并于港交所与纽交所上市。此时，中芯国际已经是国际晶圆代工市场不可忽视的力量。

取得成绩的同时，专利诉讼也随之而来。2003年12月，台积电提起诉讼，称中芯国际侵犯其若干专利。2005年1月，中芯国际与台积电一度就此达成和解。

此后，中芯国际发展势头不减。2005年，台积电试产65纳米制程，2006年第四季度开始量产；中芯国际也于2007年掌握了65纳米制程，并迅速布局45纳米制程；2007年12月，中芯国际与IBM签订45纳米Bulk COMS技术许可协定。

2006年8月，台积电再度发起诉讼，理由是中芯国际违反和解协议。2009年，中芯国际与台积电达成和解。但此后，创始人张汝京离职，随后的“王杨之争”让中芯国际错过发展机遇。

芯片的发展需要一代一代不断积累。一步落后，难免步步落后。

崛起历史能否重现？

梁孟松加入后，中芯国际追赶台积电的进程迎来转机。

2017年10月，梁孟松加入中芯国际。自此，中芯国际迎来工艺制程“跳代”式发展。比如越过22纳米，从28纳米直接进入14纳米。2019年，中芯国际取得重大进展，实现14纳米FinFET量产，迈入了FinFET时代。彼时，中芯国际进一步“跳代”，跳过10纳米，直接进入8纳米、7纳米。此前，有行业人士在接受《每日经济新闻》记者采访时曾透露，中芯国际的N+1、N+2就相当于8纳米、7纳米。

然而好景不长，自2020年10月以来，中芯国际遭遇美国多轮所谓的“制裁”。为此，中芯国际战略方向已从先进工艺制程转向成熟工艺、特色工艺。公司陆续在北京、上海、深圳、天津兴建12英寸晶圆工厂。这些工厂的工艺制程均对准28纳米及以上，并不在美国所谓的“制裁”范围内。

中芯国际登陆科创板时正是芯片行业高景气时期。2020年7月，中芯国际登陆科创板，而自2020年下半年以来，半导体行业陷入“缺芯潮”。因此，尽管遭遇困难，中芯国际还是交出了多份靓丽的业绩“答卷”。

不过，进入2022年，芯片行业供求关系逆转，除了汽车电子等细分领域外，半导体行业普遍由“缺芯潮”转入“砍单潮”，2022年下半年下行趋势尤为明显。在此背景下，中芯国际产能利用率逐渐下降。2022年一季度，其产能利用率尚且高达100.4%，二季度下降至97.1%，三季度进一步下降至92.1%。

一方面，产能利用率持续下降，另一方面，四大12英寸晶圆厂正在建设。是否有足够大的市场来填补中芯国际待投产产能，尚需进一步观察。

此前，中芯国际的崛起就是在行业低谷期逆势扩张。2000年～2002年，费城半导体指数连续三年下跌，中芯国际逆势投建工厂，异军突起。如今，中芯国际在行业低谷期逆势扩张产能的剧情能否重演，值得期待。

注：FinFET，Fin Field-Effect Transistor的简称，指鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。

封面图片来源：视觉中国-VCG111364173922