士兰微披露2024年中报：净亏损近2500万元，金融资产公允价值变动拖累业绩

8月19日晚间，士兰微（600460.SH，股价19.9元，市值331.15亿元）披露2024年中报。财务数据显示，2024年上半年，公司实现营业收入52.74亿元，同比增长17.83%；归属于上市公司股东的净利润为﹣2492.39万元，上年同期为﹣4121.89万元；扣非后净利润1.26亿元，同比下降22.39%。

对于净利润亏损，士兰微表示，公司持有的其他非流动金融资产中昱能科技（688348.SH，股价43.78元，市值68.42亿元）、安路科技（688107.SH，股价20.04元，市值80.33亿元）股票价格下跌，导致其公允价值变动产生的税后净收益为﹣1.62亿元。

此外，记者观察到，士兰微2024年中报计提固定资产折旧5.35亿元，而上年同期固定资产折旧为3.73亿元。

营收增长，部分产品毛利率下降

2024年上半年，士兰微集成电路的营业收入为20.35亿元，较上年同期增长约29%。士兰微称，公司IPM（功能功率）模块、AC-DC（交流直流）电路、32位MCU（微控制单元）电路、快充电路等产品的出货量明显加快。

其中，士兰微IPM模块的营业收入达到14.13亿元，较上年同期增长约50%。2024年上半年，国内多家主流的白电整机厂商在变频空调等白电整机上使用了超过8300万颗士兰IPM模块，比上年同期增加约56%。士兰微表示，预期今后公司IPM模块的营业收入将会继续快速成长。

分立器件方面，士兰微该产品实现营业收入23.99亿元，较上年同期增长约4%。虽然分立器件整体微增，但较为高端的IGBT和碳化硅产品增长显著。2024年上半年，士兰微IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）（模块、器件）的营业收入已达到7.83亿元，较去年同期增长30%以上。

虽然主力产品保持增长，但士兰微毛利率有所下降。报告期内，士兰微持续加大模拟电路、IGBT器件、IPM智能功率模块、PIM（IGBT功率集成模块）功率模块、碳化硅功率模块、超结MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）器件、MCU电路、化合物芯片和器件等产品在大型白电、通信、工业、新能源、汽车等高门槛市场的推广力度，公司总体营收较去年同期增长约18%。但同时，由于下游电动汽车、新能源市场竞争加剧，部分产品价格下降较快，产品毛利率降低。对此，士兰微进一步推出更高性能和更优成本的产品，积极扩大市场份额。

上半年计提固定资产折旧5.35亿元

对于净利润亏损，士兰微也表示，报告期内，公司子公司士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线尚处于产能爬坡阶段，SiC芯片产出相对较少，资产折旧等固定生产成本相对较高，导致其亏损较大。

士兰微称，2024年上半年，公司加快推进“士兰明镓SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓（厦门士兰明镓化合物半导体有限公司）已形成月产6000片6吋（英寸）SiC MOS芯片的生产能力，预计三季度末产能将达到9000片/月，预计2024年年底产能将达到1.2万片/月。

2024年上半年，士兰微合计计提固定资产折旧5.35亿元，其中专用设备计提折旧4.82亿元。值得注意的是，目前士兰微仍有大规模产能建设。截至2024年中报期末，士兰微在建工程18.18亿元，较上年末增长21.43%。

尽管6英寸SiC功率器件芯片生产线尚在产能爬坡，士兰微又欲建设8英寸SiC功率器件产线。

2024年5月21日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子在厦门共同签署了《战略合作框架协议》：各方合作在厦门市海沧区建设一条以SiC MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设，项目一期投资规模70亿元，二期投资规模约50亿元，两期建设完成后，将形成年产72万片（折合6万片月产能）8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

可以看出，如果士兰微建成月产6万片8英寸SiC功率器件，其碳化硅器件产能将大幅扩张。若碳化硅产品收入跟不上产能扩张，产线折旧将对上市公司净利润带来冲击。

碳化硅产品需求侧方面，士兰微称，2024年上半年，基于公司自主研发的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过吉利、汇川等客户验证，并开始实现批量生产和交付。公司已初步完成第Ⅲ代平面栅SiC MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司正在加快产能建设和升级，尽快将第Ⅲ代平面栅SiC MOSFET芯片导入量产。

士兰微表示，公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽车级功率模块（PIM）产能的建设，预计今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模块（IGBT模块和SiC模块）等产品的营业收入将快速成长。

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