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    士兰微披露2024年中报:净亏损近2500万元,金融资产公允价值变动拖累业绩

    每日经济新闻 2024-08-19 20:42

    ◎士兰微IPM模块的营业收入达到14.13亿元,较上年同期增长约50%。预期今后公司IPM模块的营业收入将会继续快速成长。

    ◎公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽车级功率模块(PIM)产能的建设,预计今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模块(IGBT模块和SiC模块)等产品的营业收入将快速成长。

    每经记者 朱成祥    每经编辑 梁枭    

    8月19日晚间,士兰微(600460.SH,股价19.9元,市值331.15亿元)披露2024年中报。财务数据显示,2024年上半年,公司实现营业收入52.74亿元,同比增长17.83%;归属于上市公司股东的净利润为﹣2492.39万元,上年同期为﹣4121.89万元;扣非后净利润1.26亿元,同比下降22.39%。

    对于净利润亏损,士兰微表示,公司持有的其他非流动金融资产中昱能科技(688348.SH,股价43.78元,市值68.42亿元)、安路科技(688107.SH,股价20.04元,市值80.33亿元)股票价格下跌,导致其公允价值变动产生的税后净收益为﹣1.62亿元。

    此外,记者观察到,士兰微2024年中报计提固定资产折旧5.35亿元,而上年同期固定资产折旧为3.73亿元。

    营收增长,部分产品毛利率下降

    2024年上半年,士兰微集成电路的营业收入为20.35亿元,较上年同期增长约29%。士兰微称,公司IPM(功能功率)模块、AC-DC(交流直流)电路、32位MCU(微控制单元)电路、快充电路等产品的出货量明显加快。

    其中,士兰微IPM模块的营业收入达到14.13亿元,较上年同期增长约50%。2024年上半年,国内多家主流的白电整机厂商在变频空调等白电整机上使用了超过8300万颗士兰IPM模块,比上年同期增加约56%。士兰微表示,预期今后公司IPM模块的营业收入将会继续快速成长。

    分立器件方面,士兰微该产品实现营业收入23.99亿元,较上年同期增长约4%。虽然分立器件整体微增,但较为高端的IGBT和碳化硅产品增长显著。2024年上半年,士兰微IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC(碳化硅)(模块、器件)的营业收入已达到7.83亿元,较去年同期增长30%以上。

    虽然主力产品保持增长,但士兰微毛利率有所下降。报告期内,士兰微持续加大模拟电路、IGBT器件、IPM智能功率模块、PIM(IGBT功率集成模块)功率模块、碳化硅功率模块、超结MOSFET(金属氧化层半导体场效晶体管)器件、MCU电路、化合物芯片和器件等产品在大型白电、通信、工业、新能源、汽车等高门槛市场的推广力度,公司总体营收较去年同期增长约18%。但同时,由于下游电动汽车、新能源市场竞争加剧,部分产品价格下降较快,产品毛利率降低。对此,士兰微进一步推出更高性能和更优成本的产品,积极扩大市场份额。

    上半年计提固定资产折旧5.35亿元

    对于净利润亏损,士兰微也表示,报告期内,公司子公司士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线尚处于产能爬坡阶段,SiC芯片产出相对较少,资产折旧等固定生产成本相对较高,导致其亏损较大。

    士兰微称,2024年上半年,公司加快推进“士兰明镓SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前,士兰明镓(厦门士兰明镓化合物半导体有限公司)已形成月产6000片6吋(英寸)SiC MOS芯片的生产能力,预计三季度末产能将达到9000片/月,预计2024年年底产能将达到1.2万片/月。

    2024年上半年,士兰微合计计提固定资产折旧5.35亿元,其中专用设备计提折旧4.82亿元。值得注意的是,目前士兰微仍有大规模产能建设。截至2024年中报期末,士兰微在建工程18.18亿元,较上年末增长21.43%。

    尽管6英寸SiC功率器件芯片生产线尚在产能爬坡,士兰微又欲建设8英寸SiC功率器件产线。

    2024年5月21日,厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子在厦门共同签署了《战略合作框架协议》:各方合作在厦门市海沧区建设一条以SiC MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设,项目一期投资规模70亿元,二期投资规模约50亿元,两期建设完成后,将形成年产72万片(折合6万片月产能)8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

    可以看出,如果士兰微建成月产6万片8英寸SiC功率器件,其碳化硅器件产能将大幅扩张。若碳化硅产品收入跟不上产能扩张,产线折旧将对上市公司净利润带来冲击。

    碳化硅产品需求侧方面,士兰微称,2024年上半年,基于公司自主研发的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块,已通过吉利、汇川等客户验证,并开始实现批量生产和交付。公司已初步完成第Ⅲ代平面栅SiC MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司正在加快产能建设和升级,尽快将第Ⅲ代平面栅SiC MOSFET芯片导入量产。

    士兰微表示,公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽车级功率模块(PIM)产能的建设,预计今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模块(IGBT模块和SiC模块)等产品的营业收入将快速成长。

    封面图片来源:视觉中国-VCG41N1210738055

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