三星开发8层HBM4E，为英伟达定制NVHBM内存

截至8月31日13时24分，科创芯片板块震荡上涨。同指数费率最低标的科创芯片ETF（588290）跟踪指数下跌0.53%。相关个股方面， 睿创微纳上涨10.25%，乐鑫科技上涨6.47%，复旦微电上涨5.47%，艾为电子上涨5.15%。

消息面上，8月31日，三星电子应英伟达要求研发8层第七代HBM4E，摒弃原先规划的12层、16层方案，降低堆叠高度。英伟达设定目标速度17‑18Gbps，相比三星早期HBM4E样品14.4Gbps提升约20%，这款定制存储产品将供给英伟达NVHBM平台。NVHBM把内存控制器移入HBM基片，相比标准HBM4E带宽提升、功耗下降，主要配套下一代Rubin Ultra AI GPU。

相关研究机构表示，存储行业供需紧张格局持续，AI需求增长推动行业上行，长期协议签订有助于稳定利润率并降低周期性影响，国产替代空间广阔；AI算力硬件需求强劲，带动HDI、高多层PCB及光模块市场爆发增长，产业链产能不足，下半年业绩有望加速提升。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）