海外存储巨头亮出下一代存储技术，半导体设备ETF易方达（159558）标的指数盘初涨超5%

8月5日盘初，半导体板块拉升，截至9:43，中证半导体材料设备主题指数上涨5.5%，上证科创板芯片指数上涨4.5%。同花顺iFinD数据显示，截至昨日，半导体设备ETF易方达（159558）近一月获超65亿元资金净流入。

消息面上，三星电子在美国加州“未来内存与存储”大会上集中展示面向AI时代的下一代内存技术，包括超400层V10B V-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM及zNAND-O架构。其中V10B V-NAND采用晶圆键合架构，存储密度较前代提升约58%，读写速度与输入输出性能均得到改善，力图在近万亿美元存储芯片市场中巩固领先地位。

长江证券指出，半导体设备是存储芯片产业链实现产能扩张与技术迭代的底层支撑，从前道光刻、刻蚀等核心工艺的制程升级，到中后道TSV硅通孔与先进封装的产能构建，设备投资在存储扩产周期中具备显著的前置效应。

半导体设备ETF易方达（159558，联接基金A/C：021893/021894）跟踪中证半导体材料设备主题指数，聚焦半导体上游关键环节，覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、量测检测等核心设备与材料领域；科创芯片ETF易方达（589130，联接基金A/C：020670/020671）跟踪上证科创板芯片指数，汇聚科创板芯片龙头，聚焦AI芯片、先进制程、半导体设备等方向，助力投资者布局半导体产业链景气机遇。