每经AI快讯，4月17日，长电科技通过公众号宣布，公司成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，通过测试结构的试制与实测评估，公司验证了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与性能优势，为5G及面向6G的更宽带宽射频前端与系统级封装优化提供了新的工程化路径。
1本文为《每日经济新闻》原创作品。
2 未经《每日经济新闻》授权，不得以任何方式加以使用，包括但不限于转载、摘编、复制或建立镜像等，违者必究。
上一篇
一季度基本面向好，中证1000ETF华夏（159845）盘中涨0.71%，成分股剑桥科技、大金重工涨停
下一篇
增收不增利！大族激光2025年净利润同比下滑近30%，PCB智能制造装备业务借AI算力东风大增72%
每日经济新闻客户端
National Business Daily Mobile Version
美联储加息新动向！道指涨逾500点；沙特东西输油管道遭袭后关闭；微信辟谣，涉零钱通支付；警方通报“男子编造女生催资助”丨每经早参
涉IPO操纵嫌疑，香港证监会强制暂停拨康视云股份交易 相关人士透露：管理层似乎曾对认购情况缺乏信心
大学“一床难求”，高教大省出手了
每日经济新闻客户端