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    晶盛机电：12英寸碳化硅衬底厚度均匀性≤1μm关键技术突破

    每日经济新闻 2026-03-03 17:08

    每经AI快讯，3月3日，晶盛机电在投资者关系活动中表示，依托自主搭建的12英寸中试线，浙江晶瑞SuperSiC成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性（TTV）≤1μm的关键技术突破，这是继建成行业首条12英寸碳化硅中试线后取得的重大成果。

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