国产光刻机入选工信部推广目录 产业链这些上市公司“有料”

近期，工信微报微信公众号发文披露《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》。其中，在电子专用设备一栏，氟化氪光刻机、氟化氩光刻机位列其中。该资料显示，氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度。

据东兴证券研报，光刻机可分为直写光刻机与掩膜光刻机，市场主流有i-Iine（汞线）、KrF（氟化氪）、ArF（氟化氩）、ArFi（浸润式氟化氩）、EUV（极紫外）五大类。

此次入选推广目录的氟化氩光刻机，应属于干式ArF光刻机。在具体指标上，与ASML旗下TWINSCAN NXT：1470 以及TWINSCAN XT：1460K类似。

国产光刻机实力几何？

据工信微报发文，此次指导目录是为促进首台（套）重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。

具体来看，氟化氪光刻机晶圆直径为300mm（12英寸），照明波长为248mm，分辨率≤110nm，套刻≤25nm。相比之下，阿斯麦（ASML）的氟化氪光刻机型号有TWINSCAN NXT：870、TWINSCAN XT：860N 和 TWINSCAN XT：860M。这三个型号，波长均为248mm，分辨率≤110nm。

而指导目录中更为先进的氟化氩光刻机，其照明波长为193mm，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。这一数据与ASML旗下TWINSCAN XT：1460K 最为接近。该型号照明波长为193mm，分辨率≤65nm。此外，该系统可以在偏振照明下实现低至57nm的生产分辨率。

相比之下，ASML浸润式光刻机TWINSCAN NXT 1980Fi分辨率≤38nm。据民生证券研报，该型号可实现2.5nm的套刻精度（MMO）。

据东海证券援引ASML官网数据，2023年各类光刻机均价为：EUV（17386万欧元）、ArFi（7196万欧元）、ArFdry（2742万欧元）、KrF（1192万欧元）、i-Iine（399万欧元）。

东海证券认为，目前光刻机国产化率仅为2.5%，整机技术与海外差距较大，5~10 年内90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键。

光刻机产业链亟须发展

东海证券称，根据中国国际招标网信息，半导体设备招标中，刻蚀、沉积等核心设备的国产化率获得了较大的提升，核心在于技术上我国相关企业已经逐步追赶上海外企业；但光刻机作为核心设备，国产化率不足3%，核心原因在于零组件供应与整机技术与海外差距较大。

9月18日，东方财富概念板块中，光刻机（胶）板块排名靠前，板块整体涨幅达2.47%。其中，同飞股份、波长光电均收获20%涨停；新莱应材上涨12.40%。此外，张江高科、海立股份、凯美特气等也涨停。

张江高科受关注，主要因为其曾投资上海微电子。张江高科于9月10日在投资者交流平台表示，公司通过子公司上海张江浩成创业投资有限公司投资了上海微电子2.23亿元，持有上海微电子10.779%的股权，后续未增持或减持。

东兴证券称，上海微电子是我国第一家也是目前唯一的光刻机巨头，出货量占国内市场份额超过80%，产品主要涉及ArF、KrF和i-line领域，其已具备90nm及以下的芯片制造能力。

光刻机零部件方面，同飞股份曾在2023年中报表示，其液体恒温设备在半导体制造设备领域，主要应用于光刻机、刻蚀机、研磨抛光机等关键设备的温度控制。

不过，根据东兴证券研报，光刻机核心组件包括光源系统、双工作台、物镜系统、对准系统、曝光系统、浸没系统、光栅系统等。配套设施包括光刻胶、掩膜版、涂胶显影等。

光源系统方面，据华金证券，针对准激光光源，科益虹源主要研发248nm准分子激光器、干式193nm准分子激光器等；福晶科技研发KBBF晶体。

另据东兴证券，波长光电为国内激光光学元件的主要供应商，目前，公司已具备提供光刻机配套的大孔径光学镜头的能力，公司成功开发的光刻机平行光源系统可用于国产光刻机领域配套。

波长光电曾于2023年9月15日披露投资者活动记录表称，公司在半导体领域主要涉及两个领域：一个是生产领域，即曝光机、光刻，公司可提供大口径光学镜头用于检测，做折反、投射，还可以提供平行光源系统；另一个是检测领域，公司可提供检测设备上的光学元件、组件，也可为客户定制开发、装调子系统。

物镜系统方面，东兴证券称，茂莱光学光刻机曝光物镜超精密光学元件加工技术已实现产业化。

东海证券研报显示，中国2023年进口光刻机数量高达225台，进口金额高达87.54亿美元，进口金额创下历史新高，预计3~5年内我国光刻机仍主要依赖进口。一台先进的光刻机有多达10万个零部件，整体来看我国半导体零组件的国产化率非常低，尽管在各个赛道均有相关的国有企业在不断发展，但距离海外企业依然有较大的差距，同时也预示着国内零组件企业公司有较大的发展机遇。