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    吴汉明:后摩尔定律时代芯片制造存三大挑战

    每日经济新闻 2020-10-14 11:08

    每经记者 朱成祥    每经编辑 张海妮    

    10月14日,第三届全球IC企业家大会,中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表开幕演讲。图片来源:每经记者 朱成祥 摄

    在10月14日第三届全球IC企业家大会上,中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表开幕演讲,其表示后摩尔定律时代芯片制造存三大挑战,即基础挑战、核心挑战和终极挑战。

    其中,基础挑战主要指芯片图形工艺,包括光刻工艺和刻蚀工艺;核心挑战指的是新材料和新工艺;而终极挑战则是提升良率。

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