赛微电子：聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：董秘您好，公司氮化镓（GaN）外延材料及器件的研发生产能力和在研制 8 英 寸硅基氮化镓外延晶圆方面在业界处于什么水平？谢谢

赛微电子（300456.SZ）3月17日在投资者互动平台表示，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。

(记者 蔡鼎)

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