存储周期回暖叠加国产算力加速，科创芯片设计ETF富国（589400）盘中涨幅达3.61%

芯片产业链集体冲高，光刻机、存储芯片、PCB、AI芯片等概念涨幅居前。截至发稿，科创芯片设计ETF富国（589400）盘中涨幅达3.61%，成分股盛科通信、寒武纪、沐曦股份、海光信息等涨幅显著。

消息面催化不断。存储端，据行业媒体报道，闪迪于11月10日将11月NAND合约价格上调50%，为其年内第三次提价，明显高于市场此前5%—10%的预期；叠加集邦咨询上调第四季度DRAM价格涨幅预期，服务器DDR5及企业级存储供需持续偏紧。算力方向，阿里旗下平头哥递交独立上市申请，真武系列AI芯片累计出货56万片，已应用于智能驾驶、大模型、具身智能等场景，覆盖20多个行业，国产算力芯片出货量有望持续增长。

机构分析指出，芯片设计作为产业链高附加值环节，长期成长逻辑较为清晰，AI算力、车载感知、存储周期回暖与国产替代形成多重支撑。一方面，大模型、智能驾驶、端侧智能持续打开增量空间，NAND、DRAM供需偏紧推动存储价格上行，相关产业链盈利预期改善；另一方面，国内标准体系持续完善，有助于国产芯片验证与规模化落地，算力、感知、存储等领域的设计公司有望加快订单转化与业绩释放。

科创芯片设计ETF富国（589400）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，该ETF单日涨跌幅限制为20%。指数超90%的权重集中于芯片设计环节，剔除重资产制造、封测企业，是科创板较为稀缺的纯芯片设计主题指数之一。