每经AI快讯,10月19日,有消息称,英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片(BaseDie)为其生产NVHBM(英伟达的定制HBM技术,HBM即高带宽内存),核心裸片(CoreDie)则采用第六代DRAM(动态随机存取存储器)技术,三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。对于此事的真实性,10月19日,三星电子回应称,公司不对涉及客户的事项发表评论。(一财)
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