三星台积电联手英伟达建设HBM项目，行业格局再演变｜人工智能早参

过去一周（截至10月16日收盘），芯片产业链震荡调整。科创芯片ETF（588290）跟踪指数下跌7.9%，创业板人工智能ETF（159279）跟踪指数下跌9.73%，科创创业人工智能ETF（588470）跟踪指数下跌9.99%。相关个股中，金山办公上涨1.09%、协创数据下跌7.96%、昆仑万维下跌2.84%、光库科技下跌4.13%。

NO.1 三星拟用台积电3纳米工艺生产英伟达HBM基底裸片

据报道，三星电子计划采用台积电的3纳米工艺生产英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。据悉，英伟达希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性，已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM的基底裸片生产中采用台积电的3纳米工艺。此举标志着三星将首次在HBM制造阶段与台积电展开合作。

NO.2 RISC-V主控芯片市场2030年将达2194亿元，智能终端渗透率升至26.7%

第六届RISC-V中国峰会定档10月18日至20日，在深圳会展中心（福田）举行。据弗若斯特沙利文数据，中国RISC-V主控芯片市场已从2021年的约11亿元增长至2025年的约377亿元，预计2030年将达约2194亿元；RISC-V 在中国智能终端、具身智能芯片市场的渗透率，预计分别由2025年的6.9%、10.7%提升至2030年的26.7%、28.2%。

NO.3 摩根士丹利：2027年数据中心新增算力同比激增48%，达32吉瓦

摩根士丹利称，2027年，超大规模云厂商（Hyperscalers）与新兴云（neocloud）的数据中心新增算力规模将同比激增48%，达到32吉瓦（GW）。谷歌、亚马逊、微软、Meta四大超大规模云厂商贡献约85%的新增建设量；2028年将再新增39吉瓦，同比扩张21%。

研究机构表示，电子材料行业在AI基础设施、高性能计算与先进存储投资高景气的推动下，叠加半导体材料涨价及产能释放、国产化进程加速，预计将保持快速增长态势，其中先进制程及封装相关材料、国产替代较快的品类表现尤为突出，行业整体发展前景向好。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）