SK海力士预判内存短缺到2030年底，同指数费率最低标的科创芯片ETF（588290）跟踪指数上涨0.51%

截至9时35分，芯片板块表现活跃，同指数费率最低标的科创芯片ETF（588290）跟踪指数上涨0.51%，成分股方面，纳芯微上涨4.56%，寒武纪上涨2.97%，海光信息上涨2.7%。

消息面上，SK海力士CEO郭鲁正表示，未看到任何显著的内存市场下行信号，预计内存短缺状况将持续至2030年底。此前，SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设；将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。SK海力士CEO预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。

相关研究机构表示，我们认为算力产业链中高景气细分赛道如PCB、存储等需求旺盛，均处于景气扩张周期，亦有望提振上游设备、先进封装等需求，建议关注PCB、存储、半导体设备及材料、先进封装等产业链投资机遇。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）