2027年DRAM与NAND闪存将占到云服务商总资本开支的68%！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨超2%，已连续8日净流入超1.2亿元

盘面上，两市窄幅震荡，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨2.01%。成分股中，南芯科技、英集芯、海光信息涨超5%，赛微微电、翱捷科技-U、沐曦股份-U等多股跟涨。

值得关注的是，Wind显示，科创芯片设计ETF天弘（589070）近8个交易日（2026年8月17日—2026年8月26日）实现连续“吸金”，累计获资金净流入1.26亿元。截至2026年8月26日，该基金最新规模为19.67亿元。

科创芯片设计ETF天弘（589070）具备20%涨跌幅的弹性，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

近一年数据显示，科创芯片设计指数PE-TTM为125.57倍，当前估值处于近一年0.00%分位，低于近一年100.00%的时间。从估值水平来看，指数已具备显著性价比优势。

消息面上，据集邦咨询，全球主要云服务商正加速AI基础设施建设，DRAM与NAND闪存在其资本支出中的合计占比，预计将从2026年的47%升至2027年的68%。服务器DRAM合约价在2025年下半年已累计上涨约64%，2026年预计再涨约270%；企业级SSD价格同期涨幅约35%，2026年累计涨幅预计达235%。

国金证券认为，在AI算力爆发与国产替代的双重驱动下，芯片设计作为产业链高附加值环节，正迎来历史级景气周期，尤其受益于AI大模型推理带来的存储与算力需求激增，以及国产AI加速芯片份额的快速提升。

风险提示：成分股仅为客观展示，不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎，指数基金存在跟踪误差，请投资人独立判断和决策。数据来源：wind。