摩根士丹利预计三季度成熟制程DRAM涨价50%！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨超1%，已连续3日净流入超5000万元

盘面上，两市窄幅震荡，芯片设计概念上涨。科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨1.14%。成分股中，思瑞浦、康希通信、纳芯微、南芯科技涨超5%，恒玄科技、希荻微、思特威-W等多股跟涨。

值得关注的是，Wind显示，科创芯片设计ETF天弘（589070）近3个交易日（2026年08月17日—2026年08月19日）实现连续"吸金"，累计获资金净流入5231.76万元。最近30个交易日累计获资金净流入1.17亿元。截至2026年08月19日，该基金最新规模为19.44亿元，为同标的第一。

科创芯片设计ETF天弘(589070)具备20%涨跌幅的弹性，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

消息面上，据财联社，摩根士丹利最新预测显示，成熟DRAM和NAND芯片供应紧张局面将进一步恶化。该机构预计，2026年第三季度DDR4等成熟DRAM价格将上涨50%，第四季度再涨10%。同时，SLC NAND闪存价格涨幅更为激进，今年剩余两个季度每季度均将上涨50%。

天风证券认为，先进封装技术实现关键突破，台积电5.5倍光罩CoWoS已量产且良率稳定，异构集成与高带宽内存正加速商业应用；同时，政策推动“设计+制造”融合与自主芯片深度耦合大模型，具备全产业链整合能力的企业将迎来黄金发展期。

风险提示：成分股仅为客观展示，不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎，指数基金存在跟踪误差，请投资人独立判断和决策。数据来源：wind。