美国机构投资者布局中国半导体！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中跌3.97%，机构认为AI基建正驱动芯片设计迎战略机遇

盘面上，两市沪强深弱，两市芯片设计概念下跌。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中跌3.97%，成交额达1.65亿元，为同标的第一；换手率达8.61%。成分股中，普冉股份、翱捷科技-U、芯原股份、寒武纪、新相微跌超5%，纳芯微、联芸科技、东芯股份等多股跟跌。

科创芯片设计ETF天弘（589070）最近30个交易日累计获资金净流入10.01亿元。截至2026年8月7日，该基金最新规模为19.70亿元，为同标的第一。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达82.10%，其行业配置主要包括半导体（94.56%）、军工电子Ⅱ（4.71%）、软件开发（0.74%）等，前五大成分股为海光信息、澜起科技、寒武纪、佰维存储、芯原股份。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

近三年数据显示，科创芯片设计指数PE-TTM为221.39倍，当前估值处于近三年20.53%分位，低于近三年79.47%的时间。从估值水平来看，指数已具备一定性价比优势。

消息面上，据中国基金报，全球资产管理机构范达高级产品经理John Patrick Lee透露，美国机构投资者已开始布局中国半导体。 他明确表示，最早或于9月底将长鑫科技纳入范达旗下ETF。 范达管理着全球规模最大的半导体ETF，截至8月初总净资产约700亿美元。 其今年6月在美国推出了首只聚焦中国半导体的ETF——SMHC。 长鑫科技能否进入ETF，取决于指数提供商的决定，下一次指数再平衡在9月底。

东吴证券认为，AI基建正驱动芯片设计迎来“卖铲人”战略机遇，上游工程设计环节受益于半导体扩产新周期，同时AI驱动与国产替代共振，3D DRAM步入放量元年，存力新需求被激发。

风险提示：成分股仅为客观展示，不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎，指数基金存在跟踪误差，请投资人独立判断和决策。数据来源：Wind。