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全球存储芯片7月销售额达746亿美元创历史新高!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中大涨超3.5%

每日经济新闻 2026-08-04 10:56

每经编辑|彭水萍    

盘面上,两市低开高走,芯片设计概念上涨。相关ETF方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中涨3.6%,成交额达6932.72万元;换手率达3.72%。成分股中,芯朋微、杰华特、新相微、芯原股份、帝奥微涨超5%,裕太微-U、澜起科技、龙迅股份等多股跟涨。

科创芯片设计ETF天弘(589070)最近30个交易日累计获资金净流入18.67亿元。截至2026年8月3日,该基金最新规模为18.26亿元,为同标的第一。

科创芯片设计ETF天弘(589070),精准聚焦于上证科创板芯片设计主题指数,专门投资于科创板中技术壁垒最高、创新属性最强的芯片设计公司。其权重股均为科创板硬核科技代表,包括:澜起科技(内存接口芯片全球龙头)、海光信息、寒武纪、芯原股份(芯片设计平台龙头)、佰维存储(存储芯片设计)等。该ETF还配备了2只场外联接基金(A类:027574;C类:027575)。

近三年数据显示,科创芯片设计指数PE-TTM为193.24倍,当前估值处于近三年12.42%分位,低于近三年87.58%的时间,已具备一定估值性价比。

消息面上,据网易财经,全球存储芯片连续三季度涨价,7月销售额达746亿美元创历史新高,且据中国基金报,SK海力士二季度利润飙升并大幅扩充HBM产能,同时据集微网,长鑫存储LPDDR6已进入送样阶段,小米也因存储成本飙升上调9款机型售价,产业链量价齐升信号明确。

东吴证券认为,AI算力基础设施建设正推动存储进入“超级周期”,Server DRAM供需紧平衡有望持续至2027年,同时3D DRAM商业化放量将激发端侧AI新需求,国产DRAM扩产也将带动产业链景气度系统性抬升。 分析师指出,Fabless轻资产模式赋予芯片设计企业强经营杠杆,产品放量阶段利润弹性显著,当前EPS的快速修复正在消化高PB压力。

风险提示:成分股仅为客观展示,不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议,市场有风险,投资需谨慎,指数基金存在跟踪误差,请投资人独立判断和决策。数据来源:Wind。

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