7月22日，全球存储板块大涨，带动A股市场存储芯片板块走强。截至午间收盘，上证科创板芯片设计主题指数上涨4%，中证半导体材料设备主题指数上涨3.2%，中证芯片产业指数上涨3.1%，上证科创板芯片指数上涨2.6%。
消息面上，三星电子、SK海力士与美光科技三大存储芯片厂商全面展开HBM4良率竞争。作为第六代高带宽内存，HBM4将应用于英伟达下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片，成为下半年企业业绩关键支撑。
每经编辑｜彭水萍
7月22日，全球存储板块大涨，带动A股市场存储芯片板块走强。截至午间收盘，上证科创板芯片设计主题指数上涨4%，中证半导体材料设备主题指数上涨3.2%，中证芯片产业指数上涨3.1%，上证科创板芯片指数上涨2.6%。
消息面上，三星电子、SK海力士与美光科技三大存储芯片厂商全面展开HBM4良率竞争。作为第六代高带宽内存，HBM4将应用于英伟达下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片，成为下半年企业业绩关键支撑。
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