科创芯片深V反弹！科创芯片设计ETF天弘（589070）基金经理最新异动点评

7月21日，上证科创芯片设计指数（950162）高开后短暂下探，10点左右开启强势拉升，全天收涨10.69%。此次暴涨系多重利好共振所致，具体催化因素如下：

1. 监管层与国家队的联手强力维稳，政策托底信号明确

这是今日市场情绪逆转的最关键因素。7月19日晚间，中国国新、中国诚通两大央企宣布增持，金额合计超600亿元。次日（7月20日），证监会召开稳市场专题座谈会，全方位夯实市场稳定预期。这套“国家队+监管层”的组合拳，直接向市场传递了明确的托底信号，极大修复了近期疲弱的风险偏好，为科技股反弹提供了坚实的政策土壤。

2. 国家队昨日尾盘大举买入科技ETF，资金精准入场

据市场数据显示，7月20日尾盘时段，多只科技类ETF（尤其是科创50相关产品）出现巨额资金净申购，其中追踪科创50指数的最大基金当日录得创纪录的137亿元资金流入。这并非散户行为，而是典型的“国家队”资金精准入场的痕迹。这一动作直接为芯片、半导体等科技板块提供了真金白银的流动性支持，成为今日早盘“V型反转”的直接推手。

3. 多家科技公司公布亮眼业绩，基本面获验证

7 月 20 日晚间东芯股份发布超预期半年报预告，Q2营业收入较Q1增长110.85%至119.20%，归母净利润较第一季度增长262.81%至291.74%，其核心逻辑为利基存储NAND芯片市场的供需关系呈现结构性紧缺态势，存储业务实现量价齐升，同时布局国产 GPU 打开第二增长曲线，直接点燃存储板块情绪。此外，光模块龙头新易盛于19日晚亦公布超预期的Q2业绩。（此处仅为展示说明业绩，并非推荐）

4. 前期超卖致技术面“极致压缩”

在今日大涨前，芯片板块经历持续深跌，上周指数重挫22.99%，创发布以来最大周跌幅。短期恐慌盘与止损盘大量出清，个股普遍处于技术性超卖状态（RSI指标显著低于正常水平，股价大幅偏离均线）。极致的缩量与超跌使抛压濒临枯竭，为今日的“V型反转”提供了充裕的弹性空间。

综合来看，今日大幅上涨是政策托底、资金精准介入、业绩兑现与超跌反弹四重因素叠加的结果。短期看，板块仍需消化高估值压力和海外政策不确定性，但AI算力长期扩张逻辑未变，存储芯片供需紧平衡格局有望延续，行业高景气基本面并未发生逆转。待市场充分消化各类负面扰动、筹码完成充分交换后，板块行情有望重回基本面主线驱动。

风险提示：基金过往业绩不代表未来表现，基金管理人及基金经理管理的其他基金的业绩并不构成对本基金业绩表现的保证。投资者在购买基金前应仔细阅读基金招募说明书与基金合同，请根据自身投资目的、投资期限、投资经验等因素充分考虑自身的风险承受能力，在了解产品情况及销售适当性意见的基础上，并符合自身风险承受能力的前提下，理性判断并谨慎做出投资决策。指数基金存在跟踪误差。观点仅供参考，不构成投资建议，市场有风险，投资需谨慎。指数历史涨幅不构成对基金产品未来收益的预测及保证，仍有亏损风险。科创芯片设计指数（950162）2021年收益率为7.73%，2022年收益率为-42.51%，2023年收益率为4.75%，2024年收益率为35.54%，2025年收益率为60%。