摩根大通重磅研判：存储超级周期更高更长，CPU成为新催化剂！

截至11:07，全市场同指数费率最低的科创芯片ETF（588290）上涨0.50%，正冲击3连涨。成分股中，格科微上涨18.77%，普冉股份上涨16.32%，华海清科上涨7.29%，沪硅产业上涨6.22%，峰岹科技上涨5.60%。截至上一个交易日，科创芯片ETF（588290）近1周累计上涨18.32%。

公开资料显示，科创芯片ETF（588290）跟踪上证科创板芯片指数，指数覆盖科创板芯片半导体产业链设备、材料、设计、制造环节龙头标的，其中在芯片设计环节暴露度超53%，而科创芯片ETF（588290）上市以来日均成交额稳居通指数前列，综合费率0.2%为同指数最低费率标的，为投资者一键布局科创芯片产业机会提供了高性价比工具。

消息面上，摩根大通研报显示，本轮存储超级周期将“更高、更长”，全球存储TAM从2025年2140亿美元飙升至2028年1.68万亿美元，DRAM收入2028年料达1.23万亿美元；CPU已成新一轮存储上涨核心催化剂。

相关研究机构表示，国产算力发展加速推动半导体产业链持续受益，行业逻辑在于算力需求增长带动上游芯片设计与制造环节发展，同时半导体材料与封测环节也迎来机遇，产业链各环节协同发展形成良性循环。（声明：以上信息仅供参考，不构成投资建议。市场有风险，投资需谨慎。）