连续两天股价大幅上涨，兆易创新提示风险：存储行业历史上呈现周期性波动，供给与需求终将走向再平衡

存储芯片景气度持续攀升之际，国内存储龙头兆易创新（SH603986，股价775.21元，市值5440亿元）的股价也迎来快速上涨。

6月25日晚间，兆易创新发布关于股票交易异常波动的公告，公告称，公司股票连续2个交易日内日收盘价格涨幅偏离值累计超过20%，连续2个交易日内的累计换手率为16.56%，换手率较高。

公司表示，经自查，目前生产经营情况正常，内外部经营环境未发生重大变化，内部生产经营秩序正常。 

值得注意的是，2026年年初截至6月25日，公司股价涨幅超260%。

公告中，兆易创新也提示了当前存储行业存在的周期波动风险：公司目前所处存储芯片行业周期上行，由于供给短缺带来价格较大幅度上涨，公司经营业绩得以提振。但存储行业历史上呈现显著的周期性波动特征，供给与需求终将走向再平衡。后续随着宏观经济环境、行业周期、市场供需关系等多重因素的变化，主要产品价格也可能向更可持续的合理水平回归，届时将对公司存储业务的产品售价、毛利率及整体盈利能力产生影响。 

作为国内存储芯片龙头企业之一，兆易创新主要业务为存储器、微控制器、传感器和模拟芯片的研发、技术支持和销售。公司产品应用于消费电子、汽车、工业应用、PC及服务器、物联网、网络通讯等领域。

业绩方面，2025年公司实现营业收入92.03亿元，同比增长25.12%；归属于上市公司股东的净利润16.48亿元，同比增长49.47%。其中，存储芯片实现营收65.66亿元、同比增长26.41%，占总营收比重超过七成，毛利率为42.84%，成为公司业绩增长的核心动力。

兆易创新本轮股价大涨的重要背景，是全球存储市场正处于新一轮上行周期。自2025年下半年开始，内存价格开启一轮快速上涨行情。当时存储原厂停产LPDDR4X（低功耗双倍数据率内存4X版）、DDR4等旧制程DRAM（动态随机存取存储器）产品，开始将大量晶圆产能转向HBM（高带宽内存）和DDR5生产，导致用于智能手机的LPDDR等DRAM供应陷入持续紧张。

CFM中国闪存市场数据显示，2025年全年DRAM、NAND（闪存）价格涨幅分别高达386%和207%；市场研究机构Counterpoint预计，2026年第二季度LPDDR4/LPDDR5价格较2025年第四季度增长约两倍。

存储产品价格持续上涨，也让市场对本轮由AI驱动的存储超级周期能持续多久格外关注。TrendForce集邦咨询资深分析师王豫琪近日分析称，在AI基础设施持续扩张的背景下，DRAM市场正经历一波结构性的需求重组。服务器与AI应用的强劲需求持续排挤其他应用的供给空间，服务器相关DRAM与HBM预计至2028年将主导整体供给的近三分之二，成为市场绝对主轴。由于新增无尘室产能的推进速度跟不上需求成长，供给缺口预计将延续至2027年，直至2028年新增产能陆续到位后，市场供需才有望逐步平衡。

在行业景气度持续提升的背景下，兆易创新也正加快向更高端存储产品的布局。中航证券在5月发布的研报中称，DRAM方面，兆易创新与长鑫的采购金额大幅提升，预计2026年全年采购金额达57亿元，提供产能保障。产品方面，公司LPDDR4产品及D48Gb新制程产品已于年初完成流片，有望下半年进入量产，公司产品结构正从DDR3向更高附加值品类加速切换。

不过展望未来，存储价格走势、行业供需变化以及AI需求持续性，仍将成为影响兆易创新业绩表现的重要变量。

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