每经AI快讯，随着半导体芯片变得越来越薄，芯片内部各组成部分也在追求极限超薄化。然而，这带来了一个结构性限制，即器件越薄，越难导电。为破解这一难题，韩国浦项科技大学研究团队重新设计了超薄碲晶体管的金属—半导体接触结构，开发出一种大幅降低接触电阻的新技术。通过仅对与电极接触的关键区域进行局部增厚，他们将器件接触电阻降低至原有水平的1/50，并显著提升了低温性能。相关成果发表于新一期美国化学会《ACS Nano》杂志。（科技日报）
上一篇
纳米递送载体将肺癌药利用度提高30倍
下一篇
高性能飞秒激光器实现光子芯片集成
每日经济新闻客户端
National Business Daily Mobile Version
【美股盘前】美光科技涨超17%，存储股齐涨，闪迪涨超12%；光通信概念股集体走强，康宁涨超8%；全面进军AI数据中心业务，高通涨逾11%；诺基亚涨近3%
实测豆包专业版：327张图3分钟归档，PPT配图“偶开天窗”，数据图表识别仍需“人工兜底”
委内瑞拉地震已致32死，马杜罗社媒账号突然发文：呼吁全国团结！特朗普：委地震造成惨重死亡，情况不容乐观
每日经济新闻客户端