AI算力需求正以前所未有的强度重塑全球半导体产业格局。2026年全球存储市场规模预计跃升至5516亿美元,两年内有望触及万亿美元;DRAM合约价连续两个季度以超过50%的幅度跳涨。美光、SK海力士、三星同步上修资本开支并锁定3~5年长协订单,全球存储大扩产已进入加速期。与此同时,中国半导体设备国产化率从2019年的14%提升至2025年的24%,但在涂胶显影、量检测等核心环节仍不足10%。设备国产化正从“单点突破”迈向“系统破局”。
半导体设备ETF国泰(159516)大涨5%,近5日吸金超14亿元,盘中流入近10亿份,覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、测试等关键环节,是布局这一历史性窗口的高效工具。
【存储市场迈入万亿美元时代,扩产长协重塑设备需求逻辑】
AI对HBM、DDR5及企业级SSD的吞噬性需求,已彻底改变存储行业的周期属性。2026年全球存储市场规模预计达5516亿美元,同比增长134%,2027年有望冲击8427亿美元。价格端,2026Q2传统DRAM合约价续涨58%~63%,NAND涨70%~75%,存储芯片正经历前所未有的“量价齐升”。
长协模式终结“涨跌循环”,设备订单能见度延长至数年。 三星、SK海力士已放弃季度合约,要求微软、谷歌等大客户签订3~5年长期供应协议(LTA)。这一转变的意义在于:存储原厂的资本开支不再随短期价格波动而剧烈摇摆,而是由锁定需求驱动持续扩张。东吴证券指出,海外主要存储公司2025年资本开支达4456亿元(同比+21%),且美光已指引2027年资本开支较2025年近乎翻倍。设备商将享受更平滑、更持久的订单周期。
中国存储产能缺口巨大,扩产具备数倍空间。 当前国产DRAM全球市占率不足8%,NAND约5%,而中国大陆半导体销售额占全球约30%。东吴证券测算,若实现自给,国产DRAM产能需在当前基础上扩张近4倍,NAND扩张3.9~4.6倍。长鑫存储2025年底月产能约30万片,但对比三星64.5万片、SK海力士51.5万片仍有翻倍空间;长江存储月产能14万片,仅为三星/西部数据的约三分之一。两存上市融资将进一步加速产能建设,上游设备需求刚性极强。
海外设备龙头对华供应受限,国产替代窗口已经打开。 与此同时,2025年中国大陆半导体设备销售额占全球37%,成为最大单一市场。在“买方市场”与“卖方受限”的剪刀差下,国内晶圆厂加速导入国产设备。
【设备商盈利弹性释放,前道订单饱满、后道景气加速】
西部证券统计显示,2026Q1前道设备归母净利润同比大增42.49%,远高于收入端的23.12%,盈利弹性显著修复。后道设备表现更为突出,收入同比增长59.54%,归母净利润激增151.27%,封测设备需求加速回暖。
研发高投入开始兑现规模效应,费用率持续下降。 前道设备2025年合计研发投入166.55亿元(同比+32.52%),但期间费用率已从2023年的31.39%降至2025年的29.79%。随着收入体量扩大,费用摊薄效应开始显现,净利率进入修复通道。2026Q1十四家样本设备公司销售净利率达14.9%,同比提升7.5个百分点,利润弹性开始释放。
合同负债与存货双高,在手订单支撑强劲。 截至2026Q1末,前道设备合计存货701.4亿元(历史新高),合同负债203.8亿元(保持平稳)。存货攀升反映设备厂为应对旺盛交付需求而主动备货,合同负债稳定则印证新签订单持续流入。
后道设备受益封测扩产与先进封装双重拉动。 2025年华天科技、长电科技、通富微电资本开支均超60亿元,2026Q1分别同比增长73.9%、63.4%、101.7%。日月光2025年资本开支367亿元(同比+107%),创历史新高。据Yole数据,全球先进封装市场2024-2030年CAGR约9.5%,其中2.5D/3D互连类CAGR高达37%。TSV刻蚀、混合键合、减薄等设备需求持续增长,国内后道设备订单弹性可观。
【国产化率爬坡进入快车道,涂胶显影、量检测等环节替代空间超380亿】
中国半导体设备整体国产化率已从2019年的14%提升至2025年的24%,但各环节极不均衡:刻蚀、清洗、CMP已达30%~65%,而涂胶显影、量检测、离子注入仍低于10%~25%。东吴证券测算,仅日本企业优势环节的去日化替代空间就高达380亿元。
刻蚀与薄膜沉积龙头持续扩大优势。 中微公司CCP刻蚀设备在64层以上3D NAND量产线份额稳步提升,ICP刻蚀已进入先进逻辑产线;北方华创刻蚀+薄膜+清洗+炉管平台化布局,工艺覆盖度超60%;拓荆科技PECVD覆盖逻辑芯片100%工艺、NAND 80%以上,并率先布局混合键合设备切入先进封装。龙头公司凭借更全的产品矩阵和更深的客户黏性,在本轮国产替代中份额将持续提升。
大基金三期精准注血,设备产业链加速闭环。 大基金三期规模3440亿元,设立国投集新子基金(711亿元)专注半导体设备投资,已注资拓荆键科等关键环节。与一期、二期不同,三期更加注重“母基金+子基金”模式,对设备零部件的覆盖广度显著增加。
【半导体设备ETF国泰(159516)——一键布局扩产+替代双击行情】
在全球存储扩产超级周期、国产化率加速爬坡、先进封装设备价值量跃升的三重共振下,半导体设备板块已进入业绩兑现与估值修复的共振窗口。无论是前道刻蚀、薄膜沉积,还是后道测试、封装、零部件,各环节均处于高景气通道。
半导体设备ETF国泰(159516)跟踪中证半导体设备指数,成分股覆盖核心设备公司,全面覆盖从晶圆制造到先进封装的关键环节。相较于个股投资,ETF可有效分散单一技术路线和客户验证风险,同时把握行业整体β收益。
在存储扩产刚刚进入加速期、国产替代空间仍有数倍之遥的当下,半导体设备ETF国泰(159516)是投资者布局本轮超级周期的优选工具。
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