DRAM与NAND库存仅维持约4周！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数收涨超1%，换手率超23%交投活跃

5月7日，两市高开，震荡上行，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数收盘涨1.19%，成交额达1.07亿元；换手率达23.02%。成分股中，新相微、南芯科技、裕太微-U、澜起科技、希荻微涨超5%，芯动联科、安路科技、成都华微等多股跟涨。

科创芯片设计ETF天弘（589070）累计获资金净流入475.78万元。截至2026年5月6日，该基金最新规模为4.63亿元，年初至今规模增长达4.63亿元，为同标的第一。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达95.68%，其行业配置主要包括半导体（94.84%）、军工电子Ⅱ（4.54%）、软件开发（0.63%）等，前五大成分股为澜起科技、海光信息、寒武纪、芯原股份、佰维存储。

消息面上，据SK海力士在5月投资者会议上释放的判断，全球存储芯片行业已全面转入卖方市场，DRAM与NAND库存仅维持约4周，处于历史低位；美光CEO桑杰·梅赫罗特拉同期表示，存储芯片供应短缺“才刚刚开始”，2028年前难以缓解。

华泰证券认为，芯片设计正从独立模块向“系统级协同”演进，竞争焦点是“存储+逻辑+先进封装”的全栈整合能力，这种一体化优势是抢占AI算力时代的关键。