台积电表示,芯片需求将持续保持强劲,预计2026年资本支出将达520亿至560亿美元区间的高位,以美元计的全年营收增幅将超30%。此外,Intel和AMD已通知客户,将全系列服务器CPU上调价格,交货周期显著延长。2月以来CPU普遍涨幅在10-15%。AMD多次强调26年CPU已全面售罄,未来3-5年内数据中心业务年增长率或超60%,短期内需求没有任何放缓或停止的迹象。
受此消息催化,科创芯片ETF(588290)今日上涨2.37%。重仓股中,寒武纪-U上涨0.53%、海光信息上涨2.63%、中芯国际上涨0.38%。截止上个交易日数据,该基金15日累计涨幅18.09%,动能强劲。该ETF的管理费仅为0.15%,托管费0.05%,是全市场跟踪同一指数中费率最低的产品。对于长期投资者而言,低费率意味着更多的收益留存,成本优势显著。
全球芯片产业链正面临结构性变革,存储芯片短缺持续加剧,美光科技等企业预测紧缺状况将延续至2026年后,HBM存储芯片年增长率预计超40%。
存储芯片价格持续上涨,行业产值创历史新高,2026年存储器产值预计同比激增134%,三星电子已在第一季度将NAND闪存价格上调超100%,且涨价势头预计延续。DRAM和NAND Flash的价格涨跌幅区间为5.95%-63.43%,存储涨价效应从AI扩散到其他领域,在供给持续收缩趋势下,存储价格涨势仍将持续。
从具体芯片类型来看,HBM与高端DRAM成为存储厂商盈利增长核心。SK海力士HBM销售额同比增长逾一倍,驱动整体业绩创新高;三星电子HBM4芯片已通过英伟达、AMD认证,将于1Q26开始交付。HBM作为AI服务器的核心配套器件,成为头部厂商的业绩增长支柱,AI相关DRAM与NAND产品销量有望持续扩大。
目前,中国正积极应对这一趋势,深圳市发布人工智能服务器产业链发展计划,明确支持存储芯片研发及先进封装技术攻关,构建适配大模型训练的高端存储供应体系。(声明:以上信息仅供参考,不构成投资建议。市场有风险,投资需谨慎。)
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