每经AI快讯，近日，国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。（科技日报）
上一篇
霍尔木兹海峡再生变数！底仓配置选项关注沪深300ETF华泰柏瑞（510300）
下一篇
港股中国宏桥一度涨超4%
每日经济新闻客户端
National Business Daily Mobile Version
每经记者专访东方星链联合创始人宋冰晨：对标SpaceX Starmind，中国版“星脑”如何走向全球？
国常会：研究出台稳定房地产市场、促进就业增收等政策措施；上海：有序实施商品住房现房销售｜房产早参
粤芯半导体，中签号出炉
每日经济新闻客户端