存储芯片涨价超300%！科创芯片设计ETF天弘（589070）交投活跃，盘中频现溢价交易

盘面上，两市低开后走势分化，呈现沪强深弱的格局，芯片设计概念下跌。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中跌3.93%，成交额达5296.96万元，盘中频现溢价交易。成分股中，臻镭科技、聚辰股份、澜起科技、龙芯中科、佰维存储跌超5%，泰凌微、龙迅股份、成都华微等多股跟跌。

值得关注的是，Wind显示，科创芯片设计ETF天弘（589070）近2个交易日（2026年02月02日—2026年02月03日）实现连续“吸金”，科创芯片设计ETF天弘（589070）最近五个交易日累计获资金净流入1.20亿元。截至2026年02月03日，该基金最新规模为6.41亿元。

科创芯片设计ETF天弘（589070）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，该指数覆盖芯片设计、制造、封测、设备等产业链各环节，反映半导体产业整体发展趋势，数字芯片设计和模拟芯片设计为前两大权重行业，合计占比高达94.1%。

消息面上，据TrendForce集邦咨询数据显示，存储芯片价格大幅攀升，DRAM与NAND闪存现货价累计涨幅超300%，带动行业景气度走高。同时，据中信证券研究及第一财经报道，涨价潮已蔓延至封测、晶圆代工及MCU等环节，多家芯片设计公司发布涨价函。此外，据界面新闻，国内技术研发取得突破，清华大学团队成功研发出柔性数字存内计算芯片，增强产业自主信心。政策方面，上海市最新政府工作报告提出推进临港科创城建设，强化产业支持。

国信证券指出，芯片主题ETF持续获得大额资金净流入，显示市场对半导体产业链的长期信心，尤其是科创芯片规模已突破680亿元，资金动向表明该领域仍是资金重点布局的方向。