芯联集成：公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：尊敬的董秘您好：电动汽车向800伏1000伏高压平台发展技术趋势明显：充电更快，动力更强 能源效率更高,相应零部件耐高压性能要求大幅提高，碳化硅产品替代硅IGBT成为高压平台电控核心零部件需求暴增，贵公司作为碳化硅行业龙头，请问贵公司的产品能否满足800伏 1000伏高压平台性能要求, 有没有为比亚迪汽车或其他新能源汽车厂家供货 ！公司8英寸碳化硅产线产能是多少？

芯联集成（688469.SH）3月17日在投资者互动平台表示，尊敬的投资者您好，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC MOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。 在车载SiC MOSFET领域，公司持续拓展车载领域和工控领域国内外OEM和Tier1客户。目前已经覆盖大部分新能源汽车主流品牌。 在产能方面，公司已拥有一条8英寸SiC MOSFET晶圆试验线和一条月产8000片的6英寸SiC MOSFET晶圆量产线。公司将结合市场需求、相关技术成熟情况等因素，逐步拓展8英寸产线的产能。感谢您的关注。

(记者 曾健辉)

免责声明：本文内容与数据仅供参考，不构成投资建议，使用前核实。据此操作，风险自担。