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    新洁能：公司的SiC MOSFET是平面栅结构

    每日经济新闻 2025-01-26 15:52

    每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：请问公司SiC MOSFET制造技术是平面型还是沟槽型？

    新洁能（605111.SH）1月24日在投资者互动平台表示，投资者您好！公司的SiC MOSFET是平面栅结构。感谢您的关注。

    (记者 谭玉涵)

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