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新洁能:公司的SiC MOSFET是平面栅结构

每日经济新闻 2025-01-26 15:52

每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:请问公司SiC MOSFET制造技术是平面型还是沟槽型?

新洁能(605111.SH)1月24日在投资者互动平台表示,投资者您好!公司的SiC MOSFET是平面栅结构。感谢您的关注。

(记者 谭玉涵)

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