我国科学家突破硅基闪存器件尺寸极限

每经AI快讯，记者从复旦大学获悉，该校周鹏-刘春森团队从界面工程出发，在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。相关研究成果12日发表于国际期刊《自然·电子学》。

该研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是目前国际最短沟道闪存器件，突破了硅基闪存物理尺寸极限，约15纳米。（科技日报）