京东方“入主”后首年，华灿光电营收增加但亏损额扩大 部分激励对象限制性股票作废

2023年8月，京东方（京东方A，SZ000725，股价4.30元，市值1619亿元）斥资近21亿元，获得华灿光电（SZ300323，股价5.06元，市值81.80亿元）控股股东地位。市值1600亿元的面板巨头“入主”后，市场对于华灿光电能否走出业绩低迷颇有期待。

4月1日晚，华灿光电披露的年报显示，公司2023年实现营业收入29.03亿元，同比增长23.28%；但归母净利润为-8.46亿元，相比2022年的-1.47亿元，亏损情况进一步扩大。

华灿光电表示，主要原因系全球经济恢复缓慢，市场竞争激烈，LED终端市场需求疲弱使得整体库存去化缓慢，新玩家入局后竞争加剧，市场价格承压，量增价跌，导致公司产品毛利率受到较大影响。

5年亏损19.28亿元

华灿光电主要业务为LED芯片、LED外延片、蓝宝石衬底及第三代半导体化合物GaN（氮化镓）电力电子器件的研发、生产和销售。

按产品分类，LED芯片、LED衬底片收入占比较大，两大产品2023年销量分别同比增加110.66%、2.93%。华灿光电表示，2023年，公司深耕LED芯片照明、显示、背光等细分市场，并积极推行满销促满产策略，在BOE（京东方）品牌赋能下，照明BU（业务单元）、直显BU、背光BU、海外大客户BU营销能力大幅提升，实现销量和营收的明显上升。

但华灿光电毛利率却由正转负，2023年整体毛利率为-8.50%，较2022年下降16.66个百分点，其中LED芯片、LED衬底片销售毛利率分别为-12.59%、-32.87%。这导致华灿光电2023年营收水平明显上升但亏损却大幅增加。华灿光电称，公司积极拓展市场，提拉产能降低成本，逐步优化产品结构，根据未来行业和技术趋势，开拓Mini LED、车用LED等高附加值产品，但不足以弥补降价对公司产品毛利的影响。

《每日经济新闻》记者注意到，2019年—2023年的5年间，华灿光电是3年亏损2年盈利，但合计亏损金额相对更大。公司5年归母净利润额合计为亏损19.28亿元，扣非净利润更是连续5年亏损。

华灿光电年报显示，据统计预测，2023年全球LED芯片总产值约23亿美元，同比下降16%。各LED厂商纷纷加速Mini LED、高光效、车用等高端出货，以平滑负面影响。

在Mini/Micro LED业务方面，2023年，公司Mini LED产品出货量持续提升，Mini LED背光产品也在越来越多高阶显示项目中被应用量产。“公司Mini LED产品随着客户群从国内逐步走进海外高端供应链，必将成为公司业绩最重要的增长点。”华灿光电表示，2023年京东方成为公司控股股东后，在上下游资源和产业协同方面可充分赋能，共同拓展Mini/Micro LED前沿技术及产品。

2020年及2023年，华灿光电两次增发均将大部分资金用于Mini/Micro LED业务。不过记者注意到，华灿光电2020年的增发募投项目“Mini/Micro LED的研发与制造项目”，2023年效益为亏损7809.60万元，由于对应产品下游需求不及预期，致项目整体效益不达预期。

鉴于2023年度公司层面业绩考核不达标，华灿光电董事会决定作废公司2021年限制性股票激励计划的第三个归属期已获授但尚未归属的限制性股票共计317.11万股（不含离职人员）。

面对2023年亏损扩大，华灿光电表示，2024年起，预测全球LED总产值逐步上升，尤其在Mini/Micro LED显示、车用照明与显示、不可见光等领域市场存在诸多机遇。对此，华灿光电制定2024年的经营计划，包括强化技术、管理、市场、人才等方面。比如，公司将持续加大研发投入，优化Mini/Micro LED等产品的性能，提升产品可靠性和良率，加强化合物半导体功率器件等前沿技术的量产化落地，为公司技术处于行业领先地位夯实基础，同时为公司新的业务领域提供技术支持。

氮化镓器件项目延期一年

在LED产品外，第三代半导体化合物GaN电力电子器件也是华灿光电近年来发展的重要方向。公司于2020年开始进入该领域，产品主要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备、云计算大数据服务器中心、通信及汽车应用等领域。

按照华灿光电年报所述，2023年全球LED芯片产值下降，而GaN功率半导体产值则大幅增加。机构预计，2023年全球GaN功率半导体产值规模将达到5.09亿美元，同比增长82%，预计到2028年全球产值将达24.98亿美元。

2020年，华灿光电增发募投项目之一为“GaN基电力电子器件的研发与制造项目”（以下简称GaN器件项目），投资总额3亿元，计划于2023年12月31日达到预定可使用状态

2023年5月，华灿光电在回复投资者网上提问时介绍：在器件方面，公司完成了650V GaN产品的小批量出样和测试，650V GaN MOSFET出样，性能可符合高频AC/DC PD 65W快充应用，为2023年产品全面上市推广奠定基础。

2023年全球GaN功率半导体市场大幅增长，华灿光电的GaN器件项目却并未如期完成，并于2023年12月宣布延期一年至2024年12月31日。截至2023年末，GaN器件项目投资进度仅33.26%。华灿光电表示，受市场宏观环境影响，GaN器件项目的建设进度和研发进度与原计划存在偏差，预计无法在计划时间内完成。

至于GaN器件业务的进展，年报显示，2023年，在自有外延方面，650V GaN on Si for D-mode外延达业界主流；在器件方面，650V GaN产品性能良率提升显著，为2024年市场开拓奠定基础。“GaN基电力电子器件目前处于研发和量产性突破阶段，预计2024年底前通过可靠性验证，具备量产条件。”华灿光电称。

就公司扭亏措施、GaN器件项目进展等问题，4月2日上午，《每日经济新闻》记者致电华灿光电并发送了采访邮件，公司接线人员表示证券部同事正在出差。截至发稿时，邮件暂未获回复。

封面图片来源：视觉中国