10月17日，三星电子内存业务负责人Lee Jung-Bae发表文章称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，希望明年初可以实现量产；该公司还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。他还表示，对于DRAM，三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。三星计划于10月20日在硅谷举办“2023三星存储技术日”。（界面）
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