湖北：到2025年完成12英寸基础硅光流片工艺开发 形成国际领先的硅光晶圆代工和生产制造能力

每经AI快讯，9月22日，湖北省政府发布关于印发加快“世界光谷”建设行动计划的通知。计划提出：搭建国际领先的硅光芯片创新平台。支持武汉新芯、国家信息光电子创新中心、九峰山实验室、江城实验室等单位建设国内首个12英寸商用硅光芯片创新平台，构建国内领先、国际一流的硅光芯片供应能力并实现硅光产品上量生产，同步加快硅基化合物异质集成能力应用，建立该领域世界领先的技术体系。2024年底前完成硅光工艺平台通线和工艺设计套件（PDK）开发。到2025年，完成12英寸基础硅光流片工艺开发，形成国际领先的硅光晶圆代工和生产制造能力。到2030年，打造12英寸硅基光电融合工艺线，建成全球前三的硅光芯片特色工艺线，器件性能达到国际领先，形成广泛的光电子芯片加工能力。