7月27日，美光已宣布已出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存，基于1β DRAM制程节点高带宽内存（HBM）解决方案，带宽超过1.2TB/s，引脚速率超过9.2Gb/s，比现有HBM3解决方案性能可提升最高50%。美光介绍，第二代HBM3产品与前一代产品相比，每瓦性能提高2.5倍，可帮助缩短大型语言模型（如GPT-4及更高版本）的训练时间，降低总体拥有成本（TCO）。（界面新闻）
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