7月27日,美光已宣布已出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存,基于1β DRAM制程节点高带宽内存(HBM)解决方案,带宽超过1.2TB/s,引脚速率超过9.2Gb/s,比现有HBM3解决方案性能可提升最高50%。美光介绍,第二代HBM3产品与前一代产品相比,每瓦性能提高2.5倍,可帮助缩短大型语言模型(如GPT-4及更高版本)的训练时间,降低总体拥有成本(TCO)。(界面新闻)
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