中国工程院院士丁荣军：第三代半导体技术未来十年复合增速将超20%

2023-06-29 11:34

每经AI快讯，6月29日，在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上，中国工程院院士丁荣军表示，以碳化硅为代表的第三代半导体技术（包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术）已经开始获得应用，并具有很大的性能及市场潜力，将在未来十年获得高达年复合20%以上的快速增长。（上证报）