每日经济新闻

    中国工程院院士丁荣军:第三代半导体技术未来十年复合增速将超20%

    2023-06-29 11:34

    每经AI快讯,6月29日,在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上,中国工程院院士丁荣军表示,以碳化硅为代表的第三代半导体技术(包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术)已经开始获得应用,并具有很大的性能及市场潜力,将在未来十年获得高达年复合20%以上的快速增长。(上证报)

    上一篇

    香港隔夜香港银行同业拆借利率上涨55.4个基点至5.5%,为2006年1月以来的最高水平

    下一篇

    亚太主要股市多数上涨,日经225指数涨0.34%,韩国综指跌0.17%



    分享成功
    每日经济新闻客户端
    一款点开就不想离开的财经APP 免费下载体验