每经AI快讯，日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。行业分析人士表示，氧化镓是第四代半导体材料，在市场对性能好、损耗低、功率密度高的功率器件需求不断释放背景下，氧化镓市场发展潜力巨大。（数据宝）
上一篇
美股地区性银行股盘前持续拉升，第一共和银行大涨超50%，PacWest Bancorp涨近40%，阿莱恩斯西部银行涨超35%
下一篇
中原证券给予安井食品增持评级
每日经济新闻客户端
National Business Daily Mobile Version
“微信状态可看访客记录”爆上热搜，腾讯张军最新回应：“访客和已读功能”已焊死，不会开发，此次小范围测试浏览人数展示功能已停止
快手可灵，大消息！接近交易人士最新透露
2026年医保目录及商保创新药目录调整公开征求意见，有哪些变化需要关注？
每日经济新闻客户端