铖昌科技：砷化镓半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：卫星通信要实现在低轨毫米波传输，必须使用相控阵技术，TR 组件为相控阵天线的核心部件，毫米波单片集成电路主要采用化合物半导体工艺，砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，其在毫米波频段具有良好的性能，是该频段的主流集成电路工艺请问是否属实？

铖昌科技（001270.SZ）3月13日在投资者互动平台表示，砷化镓半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，故在星载、地面等领域T/R芯片中得到重要应用。另外，公司推出的星载和地面用卫星互联网相控阵T/R芯片全套解决方案中，研制的硅基毫米波模拟波束赋形芯片系列产品的性能优异。

(记者陈鹏程)

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每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：卫星通信要实现在低轨毫米波传输，必须使用相控阵技术，TR组件为相控阵天线的核心部件，毫米波单片集成电路主要采用化合物半导体工艺，砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，其在毫米波频段具有良好的性能，是该频段的主流集成电路工艺请问是否属实？铖昌科技（001270.SZ）3月13日在投资者互动平台表示，砷化镓半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，故在星载、地面等领域T/R芯片中得到重要应用。另外，公司推出的星载和地面用卫星互联网相控阵T/R芯片全套解决方案中，研制的硅基毫米波模拟波束赋形芯片系列产品的性能优异。 (记者陈鹏程) 免责声明：本文内容与数据仅供参考，不构成投资建议，使用前核实。据此操作，风险自担。