每日经济新闻

    通富微电:在存储器领域,公司多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装实现稳定量产

    每日经济新闻 2022-12-21 10:57

    每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:请问公司3D TSV封装技术是否已成熟,是否领先同行业?是否已经有量产?2023年合同定单有多少?2023年公司的盈利预期是多少?

    通富微电(002156.SZ)12月21日在投资者互动平台表示,在存储器领域,公司多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装实现稳定量产,同时在国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发,助推公司进阶成为更有竞争力的存储器封装企业。2023年相关订单及盈利预期情况属于公司商业机密及内幕信息,我们无法回复,给您带来不便,敬请谅解!

    (记者 贾运可)

    免责声明:本文内容与数据仅供参考,不构成投资建议,使用前核实。据此操作,风险自担。

    版权声明

    1本文为《每日经济新闻》原创作品。

    2 未经《每日经济新闻》授权,不得以任何方式加以使用,包括但不限于转载、摘编、复制或建立镜像等,违者必究。

    上一篇

    中庚基金及员工等拟认购中庚港股通价值不低于6000万元

    下一篇

    通富微电:公司主营集成电路封装测试业务,不涉及农业领域



    分享成功
    每日经济新闻客户端
    一款点开就不想离开的财经APP 免费下载体验