国星光电：目前Micro LED领域多项关键技术上取得突破，已申请发明专利100余件

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：除nStar Ⅱ外，公司还有哪些Micro LED新品？

国星光电（002449.SZ）12月2日在投资者互动平台表示，目前公司已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等Micro LED领域多项关键技术上取得突破，Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件，最新推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ，像素间距300微米（P0.3），实现了8bit（256灰阶）色深的显示效果，同时在巨量转移及巨量键合上获得突破，其综合良率达99.99% ，未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清显示产品中获得广泛应用。 接下来，国星光电布局深耕新型微显示赛道，不断开发新品提升产品性能，在玻璃基Micro LED技术路线方面，将重点布局高端智慧屏、车载显示屏和智能手表；在硅基Micro LED技术路线方面，重点布局AR显示领域。

(记者 王瀚黎)

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