每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:贵公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件具体进展如何?
捷捷微电(300623.SZ)2月16日在投资者互动平台表示,公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件,截至2022年一月底,公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件,此外,公司还有6个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测,该系列产品仍在持续研究推进过程中,尚未进入量产阶段,后续进展情况请关注公司公告。
(记者 尹华禄)
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