每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：请问公司的GaN HEMT器件是普遍的硅基氮化镓吗？还是其他的材料？另外公司的SiC MOSFET期间进展如何？
新洁能（605111.SH）1月4日在投资者互动平台表示，公司的GaN HEMT器件目前为硅基氮化镓。公司SiC MOSFET、GaN HEMT产品正处于流片验证阶段，目前整体进展顺利。
(记者 尹华禄)
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