捷捷微电：公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：请问两个问题:一是贵公司计划建设的是六英寸晶圆及器件封测生产线，为什么不是目前业界比较多的八英寸或者12英寸；二是贵公司在去年的年报中就已经披露了三代半导体器件的研发，目前到底研发进度如何，是否和计划相比，已经严重滞后，同时在生产上，对未来的三代半导体生产是否有考虑。谢谢

捷捷微电（300623.SZ）12月16日在投资者互动平台表示，由公司全资子公司捷捷半导体承建的“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目”是我们的重点项目之一。理论上讲芯片的版面越大效率越高，就功率半导体器件而言，要结合市场份额与产业趋势和投资规模、产业周期、生产工艺等前置条件与之相匹配。即功率半导体器件需要不同的芯片产线、工艺和封测能力相关联（IDM具备核心竞争力），并对应不同的市场细分领域和市场份额。从效率而言，芯片产线版面与市场份额以及效率与边际等是正相关的。目前国内的晶闸管和部分二极管、防护器件等仍以4寸线为主流（国外5、6寸为主流）；平面可控硅芯片、肖特基二极管、IGBT模块配套用高电压大通流整流芯片，低电容、低残压等保护器件芯片和部分MOSFET等以6寸线为主流；中高端MOSFET、IGBT等以8寸片线为主流，还有部分IGBT需要12寸线支持（国外为主）等。公司MOS系列产品目前采用的是Fabless+封测的运营模式，6英寸与8英寸芯片是流片的。 公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截止至2021年第三季度末，公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利4件，此外，公司还有3个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段，后续进展情况请关注公司公告。

(记者 曾健辉)

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