捷捷微电：公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：贵公司：公司第三代半导体进展如何？是否已经有研发成果，请快回复

捷捷微电（300623.SZ）12月10日在投资者互动平台表示，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截止至2021年第三季度末，公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利4件，此外，公司还有3个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段，后续进展情况请关注公司公告。

(记者 蔡鼎)

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