捷捷微电：，截止至2021年6月底，公司拥有氮化镓相关实用新型专利3件，还有3个发明专利尚在申请受理中

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：董秘，您好！贵司第三代半导体研发也开展较长时间了，请问贵司研发进展情况如何，是否获得相关实用型专利及相关产品？如何在未来赢得先机占领市场，如果第三代半导体在未来市场开始供不应求，贵司将如何把控？请董秘尽量正面回答，而不是回答第三代半导体的性能及应用，感谢！！

捷捷微电（300623.SZ）7月26日在投资者互动平台表示，尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司已与中科院微电子研究所、西安电子科技大学大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截止至2021年6月底，公司拥有氮化镓相关实用新型专利3件，还有3个发明专利尚在申请受理中。此外,公司目前有少量碳化硅器件的封测,该系列产品仍在持续研究推进过程中尚未进入量产阶段，具体进展请关注公司相关公告。谢谢！

(记者 王晓波)

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