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    投资业务和刻蚀设备强劲增长 中微公司预计2020年归母净利润增161.02%

    每日经济新闻 2021-02-24 23:02

    中微公司发布公告称,经初步核算,预计2020年归属于母公司所有者的净利润约4.9亿元,同比增长161.02%。对于业绩变化,公司解释称,其一是刻蚀设备业绩增长;其二是间接投资中芯国际导致的公允价值变动损益。

    每经记者 赵李南    每经编辑 魏官红    

    2月24日,中微公司(688012,SH)发布2020年度业绩快报,经初步核算预计2020年归属于母公司所有者的净利润约4.9亿元,同比增长161.02%。

    对于业绩变化的原因,中微公司解释称,其一是刻蚀设备业绩增长;其二是间接投资于中芯国际(688981,SH)导致的公允价值变动损益。

    《每日经济新闻》记者注意到,包括中微公司和多家卖方研究机构在内,各方对于半导体设备未来的增长和国产替代都表示看好。此前,Gartner预计2020年中国前道半导体设备市场规模将达到614.5亿元,占全球半导体设备总投资约20%。

    归母净利润同比增长161.02%

    经初步核算,中微公司预计2020年营业总收入约22.73亿元,同比增长16.76%。

    中微公司在公告中解释称:“其中受益于半导体设备市场发展及公司产品竞争优势,公司2020年刻蚀设备收入为12.89亿元,同比增长约58.49%;由于市场原因,公司2020年MOCVD设备收入为4.96亿元,同比下降约34.47%。”

    图片来源:中微公司公告截图

    中微公司预计2020年度归属于母公司所有者的净利润约4.92亿元,同比增长161.02%。值得注意的是,中微公司预计其2020年度归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约2332万元,同比下降84.19%。

    对于扣非净利润的大幅下降,中微公司解释称:“主要系公司2020年因实施股权激励计划产生股份支付费用约1.24亿元(属于经常性损益),2019年无该类费用发生。若剔除股份支付费用的影响,2020年归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约为1.47亿元,同比约减少0.43%。”

    此外,中微公司在公告中称,2020年中微公司投资青岛聚源芯星股权投资合伙企业(有限合伙)3亿元而间接持有中芯国际科创板股票,因中芯国际股价变动导致公司产生公允价值变动收益约2.62亿元。2020年计入非经常性损益的政府补助较2019年增加约2.26亿元。

    中微公司:等离子体刻蚀设备需求持续旺盛

    中微公司在2月6日公告的《向特定对象发行股票募集说明书》中称,在半导体设备投资中,刻蚀设备的投资占比约为20%。展望未来,中微公司认为等离子体刻蚀设备国内外需求持续旺盛。

    “从技术上看,一方面,近年来随着半导体进入22纳米以下多重模板工艺,CMOS芯片结构更多地采用FinFET结构,对逻辑芯片的工艺流程要求更为复杂;另一方面,存储芯片采用DRAM和3DNAND结构,要求刻蚀设备和工艺达到极高深宽比等指标,在此背景下,逻辑芯片与存储芯片对刻蚀设备的需求均逐渐升高,刻蚀设备在晶圆产线的设备投资中占比及其细分市场规模逐年提升。”中微公司表示。

    此外,受益于本土半导体产能投资扩张,中国大陆半导体设备市场需求高涨,Gartner预计2020年中国前道半导体设备市场规模将达到614.5亿元,占全球半导体设备总投资约20%。

    “国产刻蚀设备经过多年研发创新突破,技术水平已达到国际先进水平,刻蚀设备有望成为半导体设备国产化前沿阵地。公司的等离子体刻蚀设备已应用于国际先进的14纳米、7纳米和5纳米生产线,并正在验证5纳米以下加工能力。”中微公司表示。

    对于MOCVD设备的前景,中微公司认为:“受下游市场需求推动,MOCVD设备行业整体预计仍将呈现快速增长态势。公司研发了用于制造深紫外LED的MOCVD设备,并已在行业领先客户端验证成功;用于MiniLED生产的MOCVD设备的研发工作正在有序进行中。”

    值得注意的是,多家卖方机构针对刻蚀设备的“国产替代”都十分看好。国海证券在研究报告中引用Gartner数据,预计2021年半导体行业开始复苏,全球芯片制造厂设备支出2024年将增长至602亿美元。

    国海证券在研究报告中认为:“全球半导体产业正处于第三次迁移过程当中,受益于本土半导体产能投资扩张,我国大陆半导体设备市场需求高涨。随着2021年全球半导体产业景气度复苏,预计2024年中国大陆芯片制造厂设备支出增长至128亿美元,2020年~2024年CAGR为7.5%。”

    中银证券在研究报告中认为:“刻蚀设备是IC制造的核心工艺之一,在IC制程设备投资占比约为20%。根据中国国际招投标网,在40/28nm产线中,金属刻蚀工艺目前仍被美国Lam公司垄断,硅基刻蚀和介质刻蚀国产化率不高,且深沟槽、硬掩模等10%~30%的工艺完全依靠美国公司,国产替代需要依靠中微和北方华创。”

    封面图片来源:摄图网

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