第三代半导体材料GaN拥有更优秀又稳定的性能，肯定要替换一二代半导体材料，这是毋庸置疑的，所以，在新一轮科技革命中，他们的市场空间是可以预见的。仅GaN射频器件在不同领域的市场规模，基本都是万亿美元级别！那么，概念股到底有哪些呢？
来源：道达号（微信号：daoda1997）
各位老铁，大家好，我是钱研君。每个周六，我都在公众号“道达号”上发布最新的研究成果——钱瞻研报。
创业板又一周的逼空式上涨，不知道各位粉丝朋友习惯没有，芯片引领的大科技概念可谓继续燃爆A股，空中加油行情越演越烈，看着卓胜微、兆易创新、晶方科技等个股猛冲的走势，不由地感叹，太强了！
钱研君在写这期栏目时，突遇了两件事，一是看到据报道称春节后股民平均盈利1.7万元左右，不知道达哥的粉丝朋友达到这个“及格线”没，大家可以留言谈谈；二是本人又在加班加点地研究《股月奇谈》的行业研究，感兴趣的朋友可关注即将上线的《股月奇谈》！
免责声明：本文是从行业前瞻去挖掘价值信息，整合最热研报主要观点，文章提供的信息仅供参考，不涉及操作建议。据此入市，风险自担！
进入正题！这期直接上干货，不闲谈。
2020年2月13日小米10发布会上，小米发布了首款GaN充电器，支持100V至240V、50/60Hz全球电压输入。此则消息立即引爆了资金对GaN概念股的追捧。
要知道GaN（氮化镓）也是第三代半导体的主要材料。近一年以来，围绕半导体概念，资金追逐多么狂热就无需赘述了。
去年华为投资同属第三代半导体的主要材料SiC（碳化硅）企业时，相关概念股遭到爆炒，三安光电、扬杰科技等股价走势看看就足以震撼。
因此，如果错过了SiC概念，那么，GaN就应该认真对待，需要充分重视与研究。关注公众号“道达号”，每周阅读行业价值前瞻研报。
GaN如此多娇，引无数企业竞折腰！
小米发布了首款GaN充电器，或许这仅仅只是开始。钱研君留意到，周四、周五关于GaN的最新消息源源不断，这里插播两条劲爆的！
一、台积电20日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓（GaN）产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化镓制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。透过此项合作，意法半导体将采用台积电公司的氮化镓制程技术来生产其氮化镓产品。
二、据外媒报道称，苹果今年可能也会发布GaN充电器，该技术可以通过USB-C接口提供快速充电解决方案，并支持高达65瓦的快速充电。报道中提到，苹果要推出GaN充电器，可以更好地支持多种苹果设备，让原本续航上的劣势成为优势。
台积电、苹果，都是行业“大腕”！其实不仅仅是他们，据说华为、三星、OPPO都在开始布局GaN技术！
那么，GaN到底是一个怎样的“黑材料”，让众多企业追逐呢？
简单科普一下：
GaN是新一代半导体材料，具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等特点。作为承上启下的新型宽禁带半导体材料，其禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远优于Si（硅）和GaAs（砷化镓），拥有类似Sic性能优势的禁宽带材料，但具备更大的成本控制潜力。
这里提及的Si和GaAs分别是第一代半导体材料和第二代半导体材料，这些材料普遍用于集成电路、电子信息网络工程以及制作高速、高频、大功率以及发光电子器件等。
一句话就是，科技正更新、5G正到来，什么技术都需要升级，第三代半导体材料拥有更优秀又稳定的性能，肯定要替换一二代半导体材料，这是毋庸置疑的，所以，在新一轮科技革命中，他们的市场空间是可以预见的。关注公众号“道达号”，每周阅读行业价值前瞻研报。
普及完GaN，下面来讲下应用。
GaN是一种III/V直接带隙半导体，通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。具体而言，微波射频方向包含了5G通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了LED、激光器、光电探测器等应用。
1、射频：5G基站、雷达——GaN射频器件大有可为
GaN在射频市场更关注高功率、高频率场景。由于GaN在高频下具有较高的功率输出和较小的面积，GaN已被射频行业广泛采用。
随着5G到来，GaN在Sub-6GHz宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年的约20亿美元，这主要受电信基础设施和国防两个方向应用推动，卫星通信、有线宽带和射频功率也做出了一定贡献。
下图就是GaN射频器件在不同领域的市场规模，基本都是万亿美元级别！关注公众号“道达号”，每周阅读行业价值前瞻研报。
2、电力电子：GaN推动快充及汽车电子进入小体积、高效率时代
这里只介绍快充！
GaN在未来几年将在许多应用中取代硅，其中，快充是第一个可以大规模生产的应用。在600伏特左右的电压下，GaN在芯片面积、电路效率和开关频率方面的表现明显好于硅，因此在壁式充电器中可以用GaN来替代硅。5G智能手机的屏幕越来越大，与之对应的是手机续航的需求越来越高，这意味着电池容量的增加。GaN快充技术可以很好地解决大电池带来的充电时长问题。
目前，在非常高的电压、温度和开关频率下，GaN与硅相比具有优越的性能，可显著提高能源效率。功率GaN于2018年中后期在售后市场中出现，主要是Anker、Aukey和RAVpower的24至65瓦充电器。
据Yole预测，受消费者快速充电器应用推动，到2024年GaN电源市场规模将超过3.5亿美元，CAGR为85%，有极大增长空间。关注公众号“道达号”，每周阅读行业价值前瞻研报。
3、光电子：GaN低功耗、高发光效率为LED及紫外激光器助力
根据LEDinside发布的《2019深紫外线LED应用市场报告》显示，2018年全球UV LED市场规模达2.99亿美金，预计到2023年市场规模将达9.91亿美金，2018-2023年CAGR达到27%。UV LED广阔的发展前景正吸引越来越多的厂商进入。
基于GaN半导体的深紫外发光二极管（LED）是紫外消毒光源的主流发展方向，其光源体积小、效率高、寿命长，仅仅是拇指盖大小的芯片模组，就可以发出比汞灯还要强的紫外光。
由于其具备LED冷光源的全部潜在优势，深紫外LED是公认的未来替代紫外汞灯的绿色节能环保产品。但深紫外LED技术门槛很高，目前还是处于发展阶段，在光功率、光效、寿命、成本等方面还有待提升。
近年来，深紫外LED的技术水平和芯片性能进步很快，在一些高端领域已经得到批量应用，未来预计会得到更加广泛的应用。关注公众号“道达号”，每周阅读行业价值前瞻研报。
很显然，看了上面介绍，GaN半导体运用真的是很广，这次由小米快充引爆行业，那么就看看快充产业链到底有哪些公司，请看下图：
很明显，已经布局GaN的只有三安光电。据了解，三安光电子公司三安集成，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs 高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。关注公众号“道达号”，每周阅读行业价值前瞻研报。
官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
那么，GaN产业链又是怎样的情况，请看下图：
涉及公司真的太多，就不再一一介绍，如图显示，可以看到比如最近走势强劲的富满电子、圣邦股份都在其列。关注公众号“道达号”，每周阅读行业价值前瞻研报。
风险提示：
1、疫情影响下，消费者对于终端产品的购买欲望降低；
2、5G基站建设速度减慢造成下游需求增长不及预期；
3、宏观经济下行压力下，相关企业经营利润不及预期。
本期钱瞻研报的参考研报如下：
西南证券：电子：小米发布引爆市场，GaN有望高速增长
中信建投：GaN行业深度：5G、快充、UVC，第三代半导体潮起
东吴证券：电子：GaN快充与Wifi 6的新趋势
华西证券电子行业点评：GaN（氮化镓）引爆消费电子快充市场
（本文内容仅供参考，不作为投资依据，据此入市，风险自担）
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