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工信部副部长王志军:当前,我国芯片设计水平提升3代以上,海思麒麟980手机芯片采用了全球最先进的7纳米工艺;制造工艺提升了1.5代,32/28纳米工艺实现规模量产,16/14纳米工艺进入客户导入阶段;存储芯片进行了初步布局,64层3D NAND闪存芯片预计今年下半年量产;先进封装测试规模在封测业中占比达到约30%;刻蚀机等高端装备和靶材等关键材料取得突破。当然,与国际先进水平相比,我国集成电路的总体设计、制造、检测及相关设备、原材料生产还有相当的差距。(新华社)
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