我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

2018-06-06 10:20

据悉，中国电子科技集团公司第二研究所突破了大直径SiC生长的温场设计，实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术，实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。（科技日报）