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下一代存储芯片比现在快1000倍，预计明年研发成功

长江日报 2018-04-27 13:11

武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人称，“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术，预计明年能在实验室研发成功。到时候，芯片的读写速度会比现在快1000倍，可靠性提高1000倍，一旦产业化成功，将颠覆产业格局。目前，英特尔等产业巨头也在研究这一方向。”负责人还表示，当前我国95%的存储器芯片依靠进口。（长江日报）

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