三星在华存储芯片项目开建 抢占中国市场份额

每经记者 张静 发自成都

三星电子将发力抢占中国存储芯片市场。

9月12日，三星电子宣布，位于中国大陆西安的10nm级NAND型闪存(NAND Flash)制造厂将会开始动工，预期可在2013年底兴建完成，并于2014年起开始投产。

三星电子指出，新成立的三星(中国)半导体有限公司按计划一期投资70亿美元，预计二期持续投资将达300亿美元。使西安厂成为三星有史以来投资额最高的海外芯片制造厂。目前，其已在德州奥斯汀市拥有另外一座海外半导体厂房。

据《每日经济新闻》记者了解，三星电子西安高端存储芯片项目是三星电子最领先的技术，每月可生产10万片，预计一期投资达产后，可形成660亿元人民币的年销售收入，聚集160余家配套企业入驻，提供万余就业岗位,近期已确定44家配套企业进驻西安高新区。

分析人士称，作为全球最大的存储器制造商，三星在中国西安设厂可以提升中国半导体行业的制造能力，更重要的是将大大加速三星本土化进程，也将进一步拉开与美光、海力士、东芝等竞争对手的距离。

据了解，中国生产全球96%的平板电脑和37%以上的智能手机，因此这些产品的核心零配件内存芯片的需求也在年年剧增。

根据市研机构Gartner的数据，中国市场去年所消费的NAND内存芯片，占全球市场一半，规模达290亿美元，是全球最大的芯片消费国。到2015年，中国市场份额将升至55%。对于世界存储技术和产品的领先者三星来说，中国市场的价值可谓不言而喻。

而据IHS iSuppli今年4月发布的最新研究报道显示，今年全球NAND闪存营收预计将达229亿美元，较2011年的212亿美元增加8%。今后数年，全球NAND闪存营收将会继续保持增长的态势，到2016年将会达到309亿美元左右。

在NAND闪存“水涨船高”之势下，今年以来，NAND闪存大厂英特尔、东芝、海力士、三星、美光等均有扩增新产能计划，向20nm制程发力。英特尔已经量产20nm工艺的128GB NAND闪存产品，预计下半年即可出货。，

而三星宣称将生产工艺十分先进10nm闪存芯片，将长远发展立足于中国市场实属明智之举，其在西安生产线的投产将满足日益高涨的NAND Flash需求。

目前，NAND闪存主要应用于智能手机、平板电脑以及超极本使用的固态硬盘等三大主要市场。而三星此次建厂被认为并向增长迅速华为和中兴等中国手机制造商供货。

不过，对于三星在中国建设芯片厂，iSuppli分析师顾文君在此前《每日经济新闻》记者采访时表示，其对国内企业来说，未必是件好事。目前三星的闪存芯片约占国内30%的市场份额，直接在中国生产产品必然会降低其生产成本，并巩固其在中国市场的霸主地位，行业集中度会继续加强，这样的话，国内企业的议价能力也会有所减弱,其他闪存企业的日子或更艰难。